三星电子否认3纳米芯片量产延后

据台湾省《经济日报》消息，三星电子22日否认了韩国媒体《东亚日报》关于推迟3纳米芯片量产的报道此前《东亚日报》称，由于良品率远低于目标，三星3纳米芯片的量产将会延迟

此外，韩国财经媒体BusinessKorea报道称，为了追赶TSMC，三星已经加大了对3 nm环绕栅极技术的押注，希望在未来三年内建立GAA技术的3 nm芯片工艺，并在2025年量产基于GAA工艺的2 nm芯片。

BusinessKorea还指出，据报道，三星在6月初引入了3 nm GAA工艺进行实验性量产，成为第一家使用GAA技术的公司，希望该技术能够实现量子飞跃，缩短与TSMC的差距。

根据消息显示，三星计划在上半年将GAA技术应用于3 nm工艺后，明年将GAA技术引入第二代3 nm芯片TSMC的战略是在今年下半年以稳定的FinFET工艺进入3 nm半导体市场

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（编辑：余梓阳）